国家/地区 美国（44） 韩国（34） 日本（30） 世界知识产权组织（26） 中国（20） 欧洲专利局（EPO）（14） 台湾（8） 印度（5） 墨西哥（4） 俄罗斯（4） 加拿大（2） 德国（2）
IPC部 H（81） C（33） B（32）
G（12）
IPC大类 H01（81） C01（30） B82（26）
C23（14） B05（12） B32（11）
G11（6） H05（5） C09（4）
C30（4） C07（3） G01（3）
G06（3） B44（2） C03（2）
IPC小类 H01L（81）
IPC C01B031/02（24） C01B031/04（18） B82Y030/00（15）
H01L029/786（15） H01L029/16（13） B82Y040/00（12）
H01L021/20（12） H01L021/02（10） H01L031/042（10）
B05D005/12（9） H01B001/04（9） H01L021/205（9）
H01L021/336（9） H01L029/06（9） H01L029/78（8）
发明人 AHN J H（3） HONG B H（3） KONDO D（3）
SATO S（3） SONG Y I（3） VEERASAMY V（3）
VEERASAMY V S（3） AKSAY I A（2） AKSAY L A（2）
CHO S M（2） CHOI J（2） CHOI J W（2）
CRAIN J M（2） DUVALL S G（2） HAQUE S（2）
公开年 2010（37） 2011（30） 2009（13）
申请年 2009（81）
专利权人 SAMSUNG ELEC.（4） CHINESE ACAD.（3） FUJITSU LTD（3） GUARDIAN GLA.（3）
GUARDIAN IND（3） GUARDIAN IND.（3） INT BUSINESS.（3） SAMSUNG TECH.（3）
UNIV SUNGKYU.（3） AKSAY I A（2） CARBEN SEMIC.（2） CRAIN J M（2）
HGST NETHERL.（2） HITACHI GLOB.（2） HITACHI LTD（2） HITACHI MAXE.（2）
KOREA ADV IN.（2） KORKUT S（2） LETTOW J S（2） NEC CORP（2）

Semiconductor device manufacturing method, involves forming catalyze membrane on insulator, forming graphene layer with electric conduction film, matching conduction film with insulator, and performing graphene layer thin changing process.

KONDO D, SATO S

Manufacture of electrode used for e.g. capacitor, involves applying external magnetic field to magnetic material containing nitrogen and/or sulfur, magnetic graphene and magnetic graphite and controlling arrangement direction of molecules.

OOTA N

Flexible printed circuit board, has circuit pattern formed in base substrate, graphene film provided at side of base substrate, electric component connected with circuit pattern, and another graphene film placed in solder resist layer.

AHN J H, CHO S M, HONG B H, KIM H J, SONG Y I

Production of graphene oxide aqueous solution for manufacturing graphene films and powder, involves injecting graphene oxide solution into membrane column, and sonicating column in hydrochloric acid aqueous solution and ultrapure water.

JUNG J C

Quantum dot sensitized solar cell, has electrolyte, and counter electrode provided with catalytic activity material that comprises one of active carbon, carbon black, flaky graphite, graphene or spherical graphite.

LI D, ZHANG Q, MENG Q, LUO Y

Graphene transistor e.g. top-gate-type graphene transistor has insulating film having homogeneous composition and dielectric constant that is arranged between graphene and low resistance substrate.

WATANABE E, TSUTANI H, KOIDE Y

Manufacture of graphene layer used for electronic circuit, involves mounting molecular beam epitaxy chamber on substrate and forming graphene layers by supplying carbon source on substrate.

SEO D

Method for forming graphene pattern, involves forming graphene by supplying and processing vapor carbon supply source to imprint stamp thermally.

YOO S H, KANG H K, PARK H H, OH I W, SHIN K S

Manufacturing method of semiconductor device for, e.g. personal computer (PC), involves forming conductive film touching graphene layer on insulator.

KONDO D, SATO S

Manufacturing structure comprising semiconductor substrate and modified graphene layer, comprises supplying initial structure comprising standard graphene layer, and hydrogenating initial structure with exposure dosage of hydrogen gas.

CHIANG S, ENRIQUEZ H, OUGHADDOU H, SOUKIASSIAN P, TEJEDA G A, VIZZINI S, TEJEDA GALA A, GALA A T